1 mΩ to 10 GΩ / 2%, 100 mΩ to 10 MΩ / 0.2% (POT) 10 μΩ to 1 GΩ / %, 1mΩ to 10 MΩ / 0.2% (GAL) 100 mΩ to 100GΩ / 2% (HIZ probe)
*大電流
±3A
應用電位范圍
±15V
槽壓
±28V
電壓分辨率
3nV
電流分辨率
±5aA (32 Bit)
小信號升起時間
150ns-200μs in 5 steps 范圍自動選擇
IR補償
**的EIS 技術,實時自動補償
接地模式
浮地和接地轉換,更寬的應用領域
REZennium pro可以廣泛的應用于物理電化學、燃料電池、鋰電池、太陽能電池、隔膜、超級電容器、傳感器、涂層、緩蝕劑等領域。SDZennium pro 具有以下技術特點:超高精度和準確度的恒電位儀,10uHz-8MHz交流阻抗(EIS)頻率范圍,先進的32bit高動態模擬/數字信號轉換技術(HDP),±3A*大電流,±15V的應用電壓,超過10 TΩ輸入阻抗以及可切換的接地和浮地技術,這樣REZennium pro便可以應用于地下管線和高壓釜等方面的研究。ZENNIUM pro 能夠為您提供更先進的測量方法,滿足您的任何電化學實驗要求。